型號: | SI4542DY |
廠商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分類: | JFETs |
英文描述: | 30V Complementary PowerTrench MOSFET |
中文描述: | 6 A, 30 V, 0.028 ohm, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
封裝: | SO-8 |
文件頁數: | 1/4頁 |
文件大?。?/td> | 56K |
代理商: | SI4542DY |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
SI4822 | Single N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET |
SI4822DY | Single N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET |
SI4963DY | Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
SI6410DQ | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
SI6415DQ | 30V P-Channel PowerTrench MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
---|---|
SI4542DY | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET DUAL NP SO-8 |
SI4542DY-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 6.9/6.1A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
SI4542DY-T1 | 功能描述:MOSFET 30V 6.9/6.1A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
SI4542DY-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 6.9/6.1A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
SI4542DY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 6.9/6.1A 2.0W 25/32mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |