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參數資料
型號: SI6802DQ
廠商: Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述: N-Channel, Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
中文描述: N溝道,降低Qg和,快速開關MOSFET
文件頁數: 1/4頁
文件大小: 59K
代理商: SI6802DQ
Si6802DQ
Vishay Siliconix
Document Number: 70188
S-49520—Rev. C, 18-Dec-96
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
2-1
N-Channel, Reduced Q
g
, Fast Switching MOSFET
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
20
0.075 @ V
GS
= 4.5 V
3.3
0.110 @ V
GS
= 3.0 V
2.7
D
G
S*
N-Channel MOSFET
Si6802DQ
D
S
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
D
S
S
D
TSSOP-8
Top View
*Source Pins 2, 3, 6, and 7
must be tied common.
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
20
V
Gate-Source Voltage
V
GS
12
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 25 C
I
D
3.3
A
T
A
= 70 C
2.6
Pulsed Drain Current
I
DM
20
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
1.25
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 25 C
P
D
1.5
W
T
A
= 70 C
1.0
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
–55 to 150
C
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Maximum Junction-to-Ambient
a
R
thJA
83
C/W
Notes
a.
Surface Mounted on FR4 Board, t
10 sec.
相關PDF資料
PDF描述
Si6820DQ N-Channel, Reduced Qg, MOSFET with Schottky Diode
SI6821DQ P-Channel, Reduced Qg, MOSFET with Schottky Diode
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SI6880AEDQ Specification Comparison
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相關代理商/技術參數
參數描述
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