| 型號： | SIA911EDJ-T1-GE3 |
| 廠商： | Vishay Siliconix |
| 文件頁數(shù)： | 1/9頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH DL 20V PWRPAK SC70-6 |
| 產(chǎn)品目錄繪圖： | Mosfet SC70-6, SC75-6 Package |
| 標準包裝： | 1 |
| FET 型： | 2 個 P 溝道（雙） |
| FET 特點： | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 20V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 3.6A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 101 毫歐 @ 2.7A，4.5V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 11nC @ 8V |
| 功率 - 最大： | 1.9W |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | PowerPAK? SC-70-6 雙 |
| 供應商設備封裝： | PowerPAK? SC-70-6 雙 |
| 包裝： | 標準包裝 |
| 產(chǎn)品目錄頁面： | 1666 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名稱： | SIA911EDJ-T1-GE3DKR |