| 型號： |
SIA911EDJ-T1-GE3 |
| 廠商： |
Vishay Siliconix |
| 文件頁數(shù)： |
6/9頁 |
| 文件大小： |
0K |
| 描述： |
MOSFET P-CH DL 20V PWRPAK SC70-6 |
| 產(chǎn)品目錄繪圖： |
Mosfet SC70-6, SC75-6 Package
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| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： |
1 |
| FET 型： |
2 個 P 溝道（雙）
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| FET 特點： |
邏輯電平門
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| 漏極至源極電壓(Vdss)： |
20V
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| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： |
3.6A
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| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： |
101 毫歐 @ 2.7A，4.5V
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| Id 時的 Vgs(th)（最大）： |
1V @ 250µA
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| 閘電荷(Qg) @ Vgs： |
11nC @ 8V
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| 功率 - 最大： |
1.9W
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| 安裝類型： |
表面貼裝
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| 封裝/外殼： |
PowerPAK? SC-70-6 雙
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| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： |
PowerPAK? SC-70-6 雙
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| 包裝： |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 產(chǎn)品目錄頁面： |
1666 (CN2011-ZH PDF)
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| 其它名稱： |
SIA911EDJ-T1-GE3DKR
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