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參數資料
型號: SIDC04D60F
廠商: INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類: 參考電壓二極管
英文描述: 9 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封裝: DIE
文件頁數: 1/4頁
文件大小: 67K
代理商: SIDC04D60F
Preliminary
SIDC04D60F
Edited by INFINEON technologies AI IP DD HV2, L 4334E, Edition 1, 30.08.2000
Fast switching diode chip in EMCON-Technology
This chip is used for:
EUPEC power modules and
discrete devices
FEATURES:
600V EMCON technology 70 μm chip
soft , fast switching
low reverse recovery charge
small temperature coefficient
Applications:
SMPS, resonant applications,
drives
A
C
Chip Type
V
CE
I
Cn
Die Size
Package
Ordering Code
Q67050-A4065-
A001
SIDC04D60F
600V
9A
1.85 x 1.85 mm
2
sawn on foil
MECHANICAL PARAMETER:
Raster size
1.85 x 1.85
Area total / active
3.42 / 2.07
Anode pad size
1.37 x 1.37
mm
2
Thickness
70
μm
Wafer size
125
mm
Flat position
180
deg
Max. possible chips per wafer
2693
Passivation frontside
Photoimide
Anode metalization
3200 nm Al Si 1%
Cathode metalization
1400 nm Ni Ag –system
suitable for epoxy and soft solder die bonding
Die bond
electrically conductive glue or solder
Wire bond
Al,
350μm
Reject Ink Dot Size
tbd
Recommended Storage Environment
store in original container, in dry nitrogen,
< 6 month
相關PDF資料
PDF描述
SIDC14D120E 15 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
SIHF640L-E3 18 A, 200 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA
SIHF640STR-E3 18 A, 200 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
SIHF730S-E3 5.5 A, 400 V, 1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
SIHF830-E3 4.5 A, 500 V, 1.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
相關代理商/技術參數
參數描述
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SIDC04D60F6_10 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Fast switching diode 600V Emitter Controlled technology 70 μm chip soft , fast switching
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