型號: | SIGC121T60NR2C |
廠商: | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
英文描述: | IGBT Chip in NPT-technology |
中文描述: | 在不擴散核武器條約IGBT芯片技術 |
文件頁數: | 1/4頁 |
文件大小: | 76K |
代理商: | SIGC121T60NR2C |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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SIGC128T170R3 | IGBT3 Chip |
SIGC12T120L | IGBT3 Chip |
SIGC12T120 | IGBT Chip |
SIGC12T60NC | IGBT Chip in NPT-technology |
SIGC144T170R2C | IGBT Chip in NPT-technology |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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SIGC128T170R3 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT3 Chip |
SIGC12T120 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT Chip |
SIGC12T120L | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT3 Chip |
SIGC12T60NC | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT Chip in NPT-technology |
SIGC12T60SNC | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT Chip in NPT-technology 600V NPT technology positive temperature coefficient |