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參數資料
| 型號： | SIGC156T120R2CQ |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | IGBT Chip in Fieldstop-technology |
| 中文描述： | 在場終止IGBT芯片技術 |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 86K |
| 代理商： | SIGC156T120R2CQ |
SIGC156T120R2CQ
Edited by INFINEON Technologies AI PS DD HV3, L7181Q, 02.06.2005, Edition 1.0
IGBT Chip in Fieldstop-technology
FEATURES:
1200V Fieldstop technology 120μm chip
low turn-off losses
short tail current
positive temperature coefficient
integrated gate resistor
This chip is used for:
IGBT Modules
Applications:
SMPS, resonant applications
G
C
E
Chip Type
V
CE
1200V 100A 12.59 X 12.59 mm
2
sawn on foil SP0000-83655
I
Cn
Die Size
Package
Ordering Code
SIGC156T120R2CQ
MECHANICAL PARAMETER:
Raster size
12.59 X 12.59
Emitter pad size
8 x (3.98 x 2.38)
Gate pad size
1.46 x 0.8
Area total / active
158.5 / 132.6
mm
2
Thickness
120
μm
Wafer size
150
mm
Flat position
90
grd
Max.possible chips per wafer
82 pcs
Passivation frontside
Photoimide
Emitter metallization
3200 nm Al Si Cu
Collector metallization
1400 nm Ni Ag –system
suitable for epoxy and soft solder die bonding
Die bond
electrically conductive glue or solder
Wire bond
Al, <500μm
Reject Ink Dot Size
0.65mm ; max 1.2mm
Recommended Storage Environment
store in original container, in dry nitrogen,
< 6 month at an ambient temperature of 23°C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIGC156T120R2CS | IGBT Chip in NPT-technology |
| SIGC156T120R2C | IGBT Chip in NPT-technology |
| SIGC156T60NR2C | IGBT Chip in NPT-technology |
| SIGC158T120R3L | IGBT3 Chip |
| SIGC158T120R3 | IGBT3 Chip |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| SIGC156T60SNR2C | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT Chip in NPT-technology 600V NPT technology 100μm chip |
| SIGC158T120R3 | 功能描述:IGBT 模塊 1200V 150A IGBT RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| SIGC158T120R3L | 功能描述:IGBT 晶體管 IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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