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參數資料
型號: SIS892ADN-T1-GE3
廠商: Vishay Siliconix
文件頁數: 8/13頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 100V D-S PPAK 1212
標準包裝: 1
系列: TrenchFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 28A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 33 毫歐 @ 10A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 19.5nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 550pF @ 50V
功率 - 最大: 52W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: PowerPAK? 1212-8
供應商設備封裝: PowerPAK? 1212-8
包裝: 標準包裝
其它名稱: SIS892ADN-T1-GE3DKR
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