| 型號(hào)： |
SIS892ADN-T1-GE3 |
| 廠(chǎng)商： |
Vishay Siliconix |
| 文件頁(yè)數(shù)： |
9/13頁(yè) |
| 文件大?。?/td>
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| 描述： |
MOSFET N-CH 100V D-S PPAK 1212 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： |
1 |
| 系列： |
TrenchFET® |
| FET 型： |
MOSFET N 通道，金屬氧化物
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| FET 特點(diǎn)： |
邏輯電平門(mén)
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| 漏極至源極電壓(Vdss)： |
100V
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| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： |
28A
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| 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： |
33 毫歐 @ 10A，10V
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| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）： |
3V @ 250µA
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| 閘電荷(Qg) @ Vgs： |
19.5nC @ 10V
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| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： |
550pF @ 50V
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| 功率 - 最大： |
52W
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| 安裝類(lèi)型： |
表面貼裝
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| 封裝/外殼： |
PowerPAK? 1212-8
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| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： |
PowerPAK? 1212-8
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| 包裝： |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 其它名稱(chēng)： |
SIS892ADN-T1-GE3DKR
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