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10A8

配單專家企業名單

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說明
操作

10A8
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
聯系人：賴先生
電話：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號
資質：營業執照
885000
YXYBDT臺灣
R-6
2024+
-
代理臺灣YXYBDT.現貨

10A8
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈505（京北通宇）
資質：營業執照
434507
JUXING(鉅興)
con
24+
-

10A8
天陽誠業科貿有限公司
天陽誠業科貿有限公司
聯系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
資質：營業執照
434507
JUXING(鉅興)
con
24+
-

10A8
深圳市德力誠信科技有限公司
深圳市德力誠信科技有限公司
聯系人：王小姐
電話：13969210552
地址：上海市靜安區恒豐路568號恒匯國際大廈903室
434507
JUXING(鉅興)
con
24+
-
現貨常備京北通宇商城可查價格

10A8
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
PANJIT/RECTRON
R-6P-600
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

10A8
深圳市榮澤信電子科技有限公司
深圳市榮澤信電子科技有限公司
聯系人：榮澤信－晏S
電話：18028731859
地址：華富村東區417室
10000
MIC
R-6
15+
-
全新原裝的現貨

10A8
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
5000
ADVANCED
模塊 ZIP/12
95+
-
假一罰十，百分百原裝正品

10A8
深圳市興合盛科技發展有限公司
深圳市興合盛科技發展有限公司
聯系人：銷售部經理：馬先生
電話：0755-8335078918923859456
地址：深圳市福田區華強北上步工業區8棟829/北京市海淀區中關村中銀街168-9號/香港辦事處:香港大理石
資質：營業執照
256
Rectron
標準封裝
23+
-
真實的資源竭誠服務您！

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功能描述
整流器 Silicon Rectifier R6,10A,800V
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
產品
Standard Recovery Rectifiers
配置
反向電壓
100 V
正向電壓下降
恢復時間
1.2 us
正向連續電流
2 A
最大浪涌電流
35 A
反向電流 IR
5 uA
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
DO-221AC
封裝
Reel

10A8 技術參數

10A07-T 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 10A R6 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:10A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 10A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1000V 不同?Vr，F 時的電容:80pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:R6，軸向供應商器件封裝:R-6 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 10A06-T 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 10A R6 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 電流 - 平均整流（Io）:10A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 10A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 800V 不同?Vr，F 時的電容:80pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:R6，軸向供應商器件封裝:R-6 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:500 10A060 功能描述:TRANS RF BIPO 21W 3A 55FT-2 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:停產晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:24V 頻率 - 躍遷:1GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:- 增益:8dB ~ 8.5dB 功率 - 最大值:21W 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:20 @ 400mA，5V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 工作溫度:200°C（TJ）安裝類型:接線柱安裝封裝/外殼:55FT 供應商器件封裝:55FT 標準包裝:1 10A05-T 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 10A R6 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:10A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 10A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 600V 不同?Vr，F 時的電容:80pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:R6，軸向供應商器件封裝:R-6 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 10A04-T 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 10A R6 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:10A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 10A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 400V 不同?Vr，F 時的電容:150pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:R6，軸向供應商器件封裝:R-6 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 10AS016E3F27E1HG 10AS016E3F27E1SG 10AS016E3F27E2LG 10AS016E3F27E2SG 10AS016E3F27I1HG 10AS016E3F27I1SG 10AS016E3F27I2LG 10AS016E3F27I2SG 10AS016E3F29E1HG 10AS016E3F29E1SG 10AS016E3F29E2LG 10AS016E3F29E2SG 10AS016E3F29I1HG 10AS016E3F29I1SG 10AS016E3F29I2LG 10AS016E3F29I2SG 10AS016E4F27E3LG 10AS016E4F27E3SG