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1N4755ADICT

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1N4755ADICT 技術參數
  • 1N4755A_T50R 功能描述:DIODE ZENER 43V 1W DO41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:過期 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:43V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:70 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 32.7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:3,000 1N4755A_T50A 功能描述:DIODE ZENER 43V 1W DO41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:43V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:70 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 32.7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:1 1N4755A TR 功能描述:DIODE ZENER 43V 1W DO41 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:43V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:70 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 32.7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:1 1N4755A R1G 功能描述:DIODE ZENER 43V 1W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:43V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:70 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 32.7V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41） 標準包裝:5,000 1N4755A R0G 功能描述:DIODE ZENER 43V 1W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:43V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:70 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 32.7V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41） 標準包裝:5,000 1N4755A-T 1N4755A-T50A 1N4755A-TAP 1N4755A-TP 1N4755ATR 1N4755A-TR 1N4755AUR 1N4755CE3/TR13 1N4755CP/TR12 1N4755CP/TR8 1N4755CPE3/TR12 1N4755CPE3/TR8 1N4755E3/TR13 1N4755G A0G 1N4755G R0G 1N4755P/TR12 1N4755P/TR8 1N4755PE3/TR12
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