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1N4756A-TAP(NOPB)

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1N4756A-TAP(NOPB) 技術(shù)參數(shù)
  • 1N4756A-TAP 功能描述:DIODE ZENER 47V 1.3W DO41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶盒(TB) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):47V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗(最大值)(Zzt):80 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 35.8V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-41 標準包裝:5,000 1N4756ATA 功能描述:DIODE ZENER 47V 1W DO41 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):47V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):80 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 35.8V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-41 標準包裝:1 1N4756A-T 功能描述:DIODE ZENER 47V 1W DO41 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):47V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):80 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 35.8V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-41 標準包裝:1 1N4756APE3/TR8 功能描述:DIODE ZENER 47V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):47V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):80 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 35.8V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標準包裝:1,500 1N4756APE3/TR12 功能描述:DIODE ZENER 47V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):47V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):80 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 35.8V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標準包裝:4,000 1N4756G A0G 1N4756G R0G 1N4756P/TR12 1N4756P/TR8 1N4756PE3/TR12 1N4756PE3/TR8 1N4757 G 1N4757A 1N4757A A0G 1N4757A B0G 1N4757A BK 1N4757A G 1N4757A R0G 1N4757A R1G 1N4757A TR 1N4757A_T50A 1N4757A_T50R 1N4757AE3/TR13
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