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1N5228B-TAP(NOPB)

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    1N5228B-TAP(NOPB)

  • 深圳市一線半導體有限公司
    深圳市一線半導體有限公司

    聯系人:謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話:0755-8860880117727932378

    地址:深圳市福田區華強北華強花園B9F

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1N5228B-TAP(NOPB) 技術參數
  • 1N5228B-TAP 功能描述:DIODE ZENER 3.9V 500MW DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):3.9V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):23 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N5228BTA 功能描述:DIODE ZENER 3.9V 500MW DO35 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):3.9V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):23 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 950mV 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 1N5228B-T 功能描述:DIODE ZENER 3.9V 500MW DO35 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):3.9V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):23 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5228BDO35E3 功能描述:DIODE ZENER 3.9V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):3.9V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):23 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5228B_T50R 功能描述:DIODE ZENER 3.9V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):3.9V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):23 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N5229A (DO-35) 1N5229B 1N5229B (DO-35) 1N5229B A0G 1N5229B TR 1N5229B_S00Z 1N5229B_T26A 1N5229B_T50A 1N5229B_T50R 1N5229B-T 1N5229BTA 1N5229B-TAP 1N5229B-TP 1N5229BTR 1N5229B-TR 1N5229BUR-1 1N5229C 1N5229C-TAP
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