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1N5268B-TP

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功能描述
穩壓二極管 500mW 82V
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
齊納電壓
12 V
電壓容差
5 %
電壓溫度系數
0.075 % / K
齊納電流
功率耗散
3 W
最大反向漏泄電流
3 uA
最大齊納阻抗
7 Ohms
最大工作溫度
+ 150 C
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
DO-214AC
封裝
Reel

1N5268B-TP 技術參數

1N5268BDO35 功能描述:DIODE ZENER 82V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:82V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:330 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 62V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N5268B TR 功能描述:DIODE ZENER 82V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:82V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:330 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 62V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5268B BK 功能描述:DIODE ZENER 82V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:82V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:330 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 62V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:2,500 1N5268B AP 功能描述:DIODE ZENER 82V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:82V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:330 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 62V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5268B (DO-35) 功能描述:DIODE ZENER 82V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:82V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:330 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 62V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5270B (DO-35) 1N5270BDO35 1N5270B-TP 1N5270BUR-1 1N5271A 1N5271A (DO-35) 1N5271B (DO-35) 1N5271BDO35 1N5271B-TP 1N5271BUR-1 1N5272A 1N5272A (DO-35) 1N5272B (DO-35) 1N5272BDO35 1N5272BDO35E3 1N5272B-TP 1N5272BUR-1 1N5273A