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1N5268B82V

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1N5268B82V 技術(shù)參數(shù)
  • 1N5268B TR 功能描述:DIODE ZENER 82V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):82V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):330 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 62V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5268B BK 功能描述:DIODE ZENER 82V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):82V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):330 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 62V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標準包裝:2,500 1N5268B AP 功能描述:DIODE ZENER 82V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):82V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):330 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 62V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5268B (DO-35) 功能描述:DIODE ZENER 82V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):82V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):330 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 62V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5268A (DO-35) 功能描述:DIODE ZENER 82V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):82V 容差:±10% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):330 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 62V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5270A 1N5270A (DO-35) 1N5270B (DO-35) 1N5270BDO35 1N5270B-TP 1N5270BUR-1 1N5271A 1N5271A (DO-35) 1N5271B (DO-35) 1N5271BDO35 1N5271B-TP 1N5271BUR-1 1N5272A 1N5272A (DO-35) 1N5272B (DO-35) 1N5272BDO35 1N5272BDO35E3 1N5272B-TP
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