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1N5272B/C/D

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1N5272B/C/D 技術參數

1N5272B (DO-35) 功能描述:DIODE ZENER 110V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:110V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:750 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 84V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5272A (DO-35) 功能描述:DIODE ZENER 110V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:110V 容差:±10% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:750 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 80V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5272A 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 1N5271BUR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 1N5271B-TP 功能描述:DIODE ZENER 100V 500MW DO35 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:100V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:500 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 76V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5273B-TP 1N5273BUR-1 1N5274A 1N5274A (DO-35) 1N5274B (DO-35) 1N5274BDO35 1N5274BDO35E3 1N5274B-TP 1N5274BUR-1 1N5275A 1N5275A (DO-35) 1N5275B (DO-35) 1N5275BDO35 1N5275B-TP 1N5275BUR-1 1N5276A 1N5276A (DO-35) 1N5276B (DO-35)