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1N5407GDI

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1N5407GDI
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
聯系人：廖小姐
電話：13410012158
地址：廣東省深圳市福田區華強北上航大廈西座四層
5000
DIODES
DO-201AD
11+
-
100%進口原裝正品，只做原裝

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1N5407GDI 技術參數

1N5407G R0G 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 800V 不同?Vr，F 時的電容:25pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-201AD，軸向供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:1,250 1N5407G B0G 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 800V 不同?Vr，F 時的電容:25pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-201AD，軸向供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:500 1N5407G A0G 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 800V 不同?Vr，F 時的電容:25pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-201AD，軸向供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:1 1N5407-G 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD 制造商:comchip technology 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 800V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-201AD，軸向供應商器件封裝:DO-27（DO-201AD）工作溫度 - 結:-65°C ~ 125°C 標準包裝:1,200 1N5407G 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 800V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-201AA，DO-27，軸向供應商器件封裝:軸向工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:500 1N5407-T 1N5407TA 1N5407-TP 1N5408 1N5408-B 1N5408-E3/51 1N5408-E3/54 1N5408-E3/73 1N5408G 1N5408-G 1N5408G A0G 1N5408G B0G 1N5408G R0G 1N5408GHA0G 1N5408GHB0G 1N5408GHR0G 1N5408GP-E3/54 1N5408GP-TP