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1N5408-TP

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

1N5408-TP
深圳市興合盛科技發展有限公司
深圳市興合盛科技發展有限公司
聯系人：銷售部經理：馬先生
電話：0755-8335078918923859456
地址：深圳市福田區華強北上步工業區8棟829/北京市海淀區中關村中銀街168-9號/香港辦事處:香港大理石
資質：營業執照
2520
Micro Commercial Componen
標準封裝
23+
-
真實的資源竭誠服務您！

1N5408-TP
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
聯系人：廖小姐
電話：13410012158
地址：廣東省深圳市福田區華強北上航大廈西座四層
5000
MCC
DO-201AD
11+
-
100%進口原裝正品，只做原裝

1N5408-TP
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
全新庫存現貨電話010-6210493...

1N5408-TP
深圳市亞泰盈科電子有限公司
深圳市亞泰盈科電子有限公司
聯系人：鄭小姐
電話：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田區佳和大廈B座1410-1411
資質：營業執照
1200
MCC/美微科
DO-201AD
20+
-
1萬平智能恒溫倉庫

1N5408-TP
科創特電子（香港）有限公司
科創特電子（香港）有限公司
聯系人：柯
電話：0755-83014603
地址：深圳市福田區深南中路3006號佳和大廈B座907
1200
MICRO COMMERCIAL COMPONEN
主營優勢
19+
-
100%原裝正品★終端免費供樣★

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1

您是不是要找： 1N5415 1N5415US 1N5416 1N5416US 1N5417 1N5417C.TR 1N5417-TAP 1N5417TR 1N5417US

1N5408-TP PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

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功能描述
整流器 Std Rec Rectifier 3A, 1000V
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
產品
Standard Recovery Rectifiers
配置
反向電壓
100 V
正向電壓下降
恢復時間
1.2 us
正向連續電流
2 A
最大浪涌電流
35 A
反向電流 IR
5 uA
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
DO-221AC
封裝
Reel

1N5408-TP 技術參數

1N5408TA 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.2V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1000V 不同?Vr，F 時的電容:30pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-201AD，軸向供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N5408-T 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1000V 不同?Vr，F 時的電容:25pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-201AD，軸向供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 1N5408RLG 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1000V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-201AA，DO-27，軸向供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 1N5408RL 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1000V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-201AA，DO-27，軸向供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-65°C ~ 170°C 標準包裝:1,200 1N5408G-T 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:2μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1000V 不同?Vr，F 時的電容:40pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-201AD，軸向供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 1N5418 1N5418C.TR 1N5418-TAP 1N5418TR 1N5418US 1N5419 1N5419E3 1N5419US 1N5420 1N5420US 1N5518B 1N5518B (DO35) 1N5518BUR-1 1N5519B 1N5519B (DO35) 1N5519BUR-1 1N5520B 1N5520B (DO35)