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1N5518B (DO35)

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  • 1N5518B (DO35)
    1N5518B (DO35)

    1N5518B (DO35)

  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人:曹先生/高先生/周小姐

    電話:134878658521852080514813760272017

    地址:深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 45573

  • Microsemi Corporation

  • DO-204AH, DO-35, Axi

  • 25+

  • -
  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

  • 1N5518B (DO35)
    1N5518B (DO35)

    1N5518B (DO35)

  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人:周小姐/高先生/曹先生

    電話:137602720171852080514813487865852

    地址:深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 20872

  • Microchip / Microsemi

  • DO-35-2

  • 25+

  • -
  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

  • 1/1頁 40條/頁 共3條 
  • 1
1N5518B (DO35) PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • LOW VOLTAGE AVALANCHE ZENER DO-35 SD - Bulk
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • DIODE ZENER 3.3V 500MW DO-35
1N5518B (DO35) 技術參數
  • 1N5518B 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售 標準包裝:1 1N5420US 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 3A D5B 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 電流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 9A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):400ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 600V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:E-MELF 供應商器件封裝:D-5B 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N5420 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 3A B-MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 電流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 9A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):400ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 600V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SQ-MELF,B 供應商器件封裝:B,SQ-MELF 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N5419US 功能描述:DIODE GEN PURP 500V 3A D5B 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):500V 電流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 9A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):250ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 500V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:E-MELF 供應商器件封裝:D-5B 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N5419E3 功能描述:DIODE GEN PURP 500V 3A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):500V 電流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 9A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):250ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 500V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:B,軸向 供應商器件封裝:- 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N5521BUR-1 1N5522B 1N5522B (DO35) 1N5522BUR-1 1N5523B-1 1N5523BUR-1 1N5524B 1N5524B (DO35) 1N5525B 1N5525B (DO35) 1N5525B-1 1N5526B (DO35) 1N5526BUR-1 1N5527B 1N5527B (DO35) 1N5527BUR-1 1N5528B 1N5528B (DO35)
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