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1N5519B (DO35)

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  • 型號
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  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
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  • 1N5519B (DO35)
    1N5519B (DO35)

    1N5519B (DO35)

  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人:高先生/周小姐/曹先生

    電話:185208051481376027201713487865852

    地址:深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 52978

  • Microsemi Corporation

  • DO-204AH, DO-35, Axi

  • 25+

  • -
  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

  • 1/1頁 40條/頁 共3條 
  • 1
1N5519B (DO35) PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35
  • 制造商
  • microsemi corporation
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 散裝
  • 零件狀態
  • 過期
  • 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz)
  • 3.6V
  • 容差
  • ±5%
  • 功率 - 最大值
  • 500mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt)
  • 24 歐姆
  • 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流
  • 3μA @ 1V
  • 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf)
  • 1.1V @ 200mA
  • 工作溫度
  • -65°C ~ 175°C
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • DO-204AH,DO-35,軸向
  • 供應商器件封裝
  • DO-35
  • 標準包裝
  • 1
1N5519B (DO35) 技術參數
  • 1N5519B 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售 標準包裝:1 1N5518BUR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售 標準包裝:1 1N5518B (DO35) 功能描述:DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):3.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):26 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5518B 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售 標準包裝:1 1N5420US 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 3A D5B 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 電流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 9A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):400ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 600V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:E-MELF 供應商器件封裝:D-5B 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N5522BUR-1 1N5523B-1 1N5523BUR-1 1N5524B 1N5524B (DO35) 1N5525B 1N5525B (DO35) 1N5525B-1 1N5526B (DO35) 1N5526BUR-1 1N5527B 1N5527B (DO35) 1N5527BUR-1 1N5528B 1N5528B (DO35) 1N5528BUR-1 1N5529B 1N5529B (DO35)
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