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1N5519B (DO35)

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功能描述
DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35
制造商
microsemi corporation
系列
-
包裝
散裝
零件狀態
過期
電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）
3.6V
容差
±5%
功率 - 最大值
500mW
阻抗（最大值）（Zzt）
24 歐姆
不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流
3μA @ 1V
不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）
1.1V @ 200mA
工作溫度
-65°C ~ 175°C
安裝類型
通孔
封裝/外殼
DO-204AH，DO-35，軸向
供應商器件封裝
DO-35
標準包裝
1

1N5519B (DO35) 技術參數

1N5519B 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 1N5518BUR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 1N5518B (DO35) 功能描述:DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:26 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5518B 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 1N5420US 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 3A D5B 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 9A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:400ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 600V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:E-MELF 供應商器件封裝:D-5B 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N5522BUR-1 1N5523B-1 1N5523BUR-1 1N5524B 1N5524B (DO35) 1N5525B 1N5525B (DO35) 1N5525B-1 1N5526B (DO35) 1N5526BUR-1 1N5527B 1N5527B (DO35) 1N5527BUR-1 1N5528B 1N5528B (DO35) 1N5528BUR-1 1N5529B 1N5529B (DO35)