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1N5615JAN

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  • 1N5615JANS/JANTX/JANTXV
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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • MSC

  • DO-41

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  • 1N5615JAN
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    1N5615JAN

  • 標準國際(香港)有限公司
    標準國際(香港)有限公司

    聯系人:朱小姐

    電話:83617149

    地址:新華強廣場2樓Q2B036室?|?公司: 深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813室

    資質:營業執照

  • 3925

  • MSC

  • 2007/2008

  • -
  • 公司現貨,只做原裝!

  • 1N5615JAN
    1N5615JAN

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  • 深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
    深圳市鴻昌盛電子科技有限公司

    聯系人:陳小姐

    電話:13428937514

    地址:門市: 新華強廣場2樓公司: 深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813室

    資質:營業執照

  • 3925

  • MSC

  • 2007/2008

  • -
  • 公司現貨,只做原裝!

  • 1/1頁 40條/頁 共4條 
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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
1N5615JAN 技術參數
  • 1N5615GPHE3/54 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):150ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 200V 不同?Vr,F 時的電容:25pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AC,DO-15,軸向 供應商器件封裝:DO-204AC(DO-15) 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:4,000 1N5615GP-E3/73 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101,Superectifier? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):150ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 200V 不同?Vr,F 時的電容:25pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AC,DO-15,軸向 供應商器件封裝:DO-204AC(DO-15) 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:6,000 1N5615GP-E3/54 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):150ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 200V 不同?Vr,F 時的電容:25pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AC,DO-15,軸向 供應商器件封裝:DO-204AC(DO-15) 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N5615 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.6V @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):150ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 200V 不同?Vr,F 時的電容:45pF @ 12V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:A,軸向 供應商器件封裝:* 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N5614US 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A D5A 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.3V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):2μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 200V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF,A 供應商器件封裝:D-5A 工作溫度 - 結:-65°C ~ 200°C 標準包裝:1 1N5617GPHE3/54 1N5617US 1N5618 1N5618GP-E3/54 1N5618GPHE3/54 1N5618US 1N5619 1N5619GP-E3/54 1N5619GP-E3/73 1N5619GPHE3/54 1N5619US 1N5620 1N5620C.TR 1N5620GPHE3/54 1N5620GPHE3/73 1N5620US 1N5621 1N5621GP-E3/54
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