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1N5615SX

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  • 制造商
  • General Instruments
  • 功能描述
  • 制造商
  • Microwave Semiconductor
  • 功能描述
  • 制造商
  • MIL
  • 功能描述
  • 制造商
  • Semtech Corporation
  • 功能描述
  • 制造商
  • Texas Instruments
  • 功能描述
1N5615SX 技術(shù)參數(shù)
  • 1N5615GPHE3/54 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過(guò)期 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):150ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 200V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:25pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AC,DO-15,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-204AC(DO-15) 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,000 1N5615GP-E3/73 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級(jí),AEC-Q101,Superectifier? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):150ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 200V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:25pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AC,DO-15,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-204AC(DO-15) 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:6,000 1N5615GP-E3/54 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):150ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 200V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:25pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AC,DO-15,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-204AC(DO-15) 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5615 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.6V @ 3A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):150ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 200V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:45pF @ 12V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:A,軸向 供應(yīng)商器件封裝:* 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5614US 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A D5A 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.3V @ 3A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):2μs 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 200V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF,A 供應(yīng)商器件封裝:D-5A 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 200°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5617GPHE3/54 1N5617US 1N5618 1N5618GP-E3/54 1N5618GPHE3/54 1N5618US 1N5619 1N5619GP-E3/54 1N5619GP-E3/73 1N5619GPHE3/54 1N5619US 1N5620 1N5620C.TR 1N5620GPHE3/54 1N5620GPHE3/73 1N5620US 1N5621 1N5621GP-E3/54
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