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1N5620US

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  • 1N5620USJANTX
    1N5620USJANTX

    1N5620USJANTX

  • 標(biāo)準(zhǔn)國際(香港)有限公司
    標(biāo)準(zhǔn)國際(香港)有限公司

    聯(lián)系人：朱小姐

    電話：83617149

    地址：新華強(qiáng)廣場2樓Q2B036室?|?公司: 深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場58樓5813室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 4974

  • MSC

  • 2007/2008

  • -

  • 公司現(xiàn)貨,只做原裝！

  • 1N5620USJANTX
    1N5620USJANTX

    1N5620USJANTX

  • 深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
    深圳市鴻昌盛電子科技有限公司

    聯(lián)系人：陳小姐

    電話：13428937514

    地址：門市: 新華強(qiáng)廣場2樓公司: 深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場58樓5813室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 4974

  • MSC

  • 2007/2008

  • -

  • 公司現(xiàn)貨,只做原裝！

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  • 1
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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • STD RECOVERY RECTFR 800V 1A 2PIN D-5A - Bulk
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • DIODE RECT STD REC D-5A
1N5620US 技術(shù)參數(shù)
  • 1N5620GPHE3/73 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io） 反向恢復(fù)時間（trr）:2μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 800V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:20pF @ 12V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AC，DO-15，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-204AC（DO-15） 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5620GPHE3/54 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io） 反向恢復(fù)時間（trr）:2μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 800V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:20pF @ 12V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AC，DO-15，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-204AC（DO-15） 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,000 1N5620C.TR 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL 制造商:semtech corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5620 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 3A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io） 反向恢復(fù)時間（trr）:2μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 800V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:A，軸向 供應(yīng)商器件封裝:* 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 200°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5619US 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1A D5A 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.6V @ 3A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時間（trr）:250ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 600V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:25pF @ 12V，1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF，A 供應(yīng)商器件封裝:D-5A 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5622US 1N5623 1N5623GP-E3/54 1N5623GPHE3/54 1N5623US 1N5624GP-E3/54 1N5624GP-E3/73 1N5624GPHE3/54 1N5624-TAP 1N5624-TR 1N5625GP-E3/54 1N5625GP-E3/73 1N5625GPHE3/54 1N5625-TAP 1N5625-TR 1N5626GP-E3/54 1N5626GP-E3/73 1N5626GPHE3/54
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