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1N6382E354

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1N6382E354 技術參數

1N6382-E3/73 功能描述:TVS DIODE 8VWM 11.6VC 1.5KE 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:TransZorb? 包裝:帶盒（TB）零件狀態:有效類型:齊納單向通道:- 雙向通道:1 電壓 - 反向關態（典型值）:8V 電壓 - 擊穿（最小值）:9.4V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:11.6V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:100A 功率 - 峰值脈沖:1500W（1.5kW）電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-201AA，DO-27，軸向供應商器件封裝:1.5KE 標準包裝:1,000 1N6382-E3/54 功能描述:TVS DIODE 8VWM 11.6VC 1.5KE 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:TransZorb? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效類型:齊納單向通道:- 雙向通道:1 電壓 - 反向關態（典型值）:8V 電壓 - 擊穿（最小值）:9.4V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:11.6V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:100A 功率 - 峰值脈沖:1500W（1.5kW）電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-201AA，DO-27，軸向供應商器件封裝:1.5KE 標準包裝:1,400 1N6382-E3/51 功能描述:TVS DIODE 8VWM 11.6VC 1.5KE 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:TransZorb? 包裝:散裝零件狀態:有效類型:齊納單向通道:- 雙向通道:1 電壓 - 反向關態（典型值）:8V 電壓 - 擊穿（最小值）:9.4V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:11.6V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:100A 功率 - 峰值脈沖:1500W（1.5kW）電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-201AA，DO-27，軸向供應商器件封裝:1.5KE 標準包裝:1,500 1N6381G 功能描述:TVS DIODE 45VWM 78.9VC AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:Mosorb?? 包裝:散裝零件狀態:過期類型:齊納單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關態（典型值）:45V 電壓 - 擊穿（最小值）:52.9V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:78.9V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:- 功率 - 峰值脈沖:1500W（1.5kW）電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-201AD，軸向供應商器件封裝:軸向標準包裝:500 1N6380RL4G 功能描述:TVS DIODE 36VWM 65.2VC AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:Mosorb?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產類型:齊納單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關態（典型值）:36V 電壓 - 擊穿（最小值）:42.4V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:65.2V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:- 功率 - 峰值脈沖:1500W（1.5kW）電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-201AD，軸向供應商器件封裝:軸向標準包裝:1 1N6383HE3/54 1N6383HE3/73 1N6383HE3_A/C 1N6383HE3_A/D 1N6384-E3/51 1N6384-E3/54 1N6384-E3/73 1N6384HE3/51 1N6384HE3/54 1N6384HE3/73 1N6384HE3_A/C 1N6384HE3_A/D 1N6385-E3/51 1N6385-E3/54 1N6385-E3/73 1N6385HE3/51 1N6385HE3/54 1N6385HE3/73