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2N396GP

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2N396GP PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

2N396GP 技術參數

2N3964 功能描述:TRANS PNP 45V 0.2A TO-18 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:200mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10nA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:250 @ 1mA，5V 功率 - 最大值:360mW 頻率 - 躍遷:50MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-18 標準包裝:2,000 2N3962 功能描述:PNP LL LN AMP TRANSISTOR 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:停產晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:200mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10nA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 1mA，5V 功率 - 最大值:360mW 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-18 基本零件編號:2N3962 標準包裝:250 2N3960UB 功能描述:TRANS NPN 12V UB 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝零件狀態:在售晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 3mA，30mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 10mA，1V 功率 - 最大值:400mW 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-SMD，無引線供應商器件封裝:UB 標準包裝:100 2N3960 功能描述:TRANS NPN 12V TO-18 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝零件狀態:在售晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 3mA，30mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 10mA，1V 功率 - 最大值:400mW 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-18（TO-206AA）標準包裝:100 2N3947 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態:在售晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:200mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 10mA，1V 功率 - 最大值:1.2W 頻率 - 躍遷:300MHz 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-18 標準包裝:2,000 2N4033UA 2N4033UB 2N4036 2N4036 W/GOLD 2N4037 2N4058 2N4091 2N4091UB 2N4092 2N4092UB 2N4093 2N4093UB 2N4117A 2N4117A-2 2N4117A-E3 2N4118A 2N4118A-2 2N4118A-E3