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2N4396

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型號
供應商
數量
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封裝
批號
價格
說明
操作

2N4396
無錫固電半導體股份有限公司
無錫固電半導體股份有限公司
聯系人：張小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區新梅路68號
資質：營業執照
1000
isc/固電半導體
TO-3
25+
-
國產品牌，替代進口

2N4396
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
聯系人：賴先生
電話：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號
資質：營業執照
885000
YXYBDT臺灣
TO-3
2024+
-
代理臺灣YXYBDT.現貨

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制造商
未知廠家
制造商全稱
未知廠家
功能描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-3

2N4396 技術參數

2N4393UB 功能描述:N CHANNEL JFET 制造商:microsemi ire division 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 2N4393-E3 功能描述:MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:40V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:5mA @ 20V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:500mV @ 1nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:14pF @ 20V 電阻 - RDS（開）:100 歐姆安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-206AA（TO-18）功率 - 最大值:1.8W 標準包裝:200 2N4393-2 功能描述:MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:40V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:5mA @ 20V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:500mV @ 1nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:14pF @ 20V 電阻 - RDS（開）:100 歐姆安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-206AA（TO-18）功率 - 最大值:1.8W 標準包裝:20 2N4393 功能描述:JFET N-CH 40V 1.8W TO-18 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:40V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:5mA @ 20V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:500mV @ 1nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:14pF @ 20V 電阻 - RDS（開）:100 歐姆安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-18 功率 - 最大值:1.8W 標準包裝:2,000 2N4392UB 功能描述:N CHANNEL JFET 制造商:microsemi ire division 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 2N4401 2N4401,116 2N4401_D11Z 2N4401_D81Z 2N4401_J05Z 2N4401_J18Z 2N4401_J25Z 2N4401_J60Z 2N4401_J61Z 2N4401_S00Z 2N4401-AP 2N4401BU 2N4401G 2N4401NLBU 2N4401RLRA 2N4401RLRAG 2N4401RLRM 2N4401RLRMG