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2N4853

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  • 2N4853
    2N4853

    2N4853

  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質:營業執照

  • 5000

  • S

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • 2N4853
    2N4853

    2N4853

  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人:駱小姐

    電話:18124020586

    地址:深圳市龍崗區雅寶路1號星河world, A棟2203A

  • 100676

  • Central Semiconductor Cor

  • TO-206AA, TO-18-3 Me

  • 25+

  • -
  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

  • 2N4853
    2N4853

    2N4853

  • 深圳市時興宇電子有限公司
    深圳市時興宇電子有限公司

    聯系人:彭先生

    電話:0755-830415598397218513430523058

    地址:深圳市福田區華強北都會大廈A座19樓19G

  • 9331

  • MOT

  • CAN

  • 12+

  • -
  • 絕對公司原裝現貨

  • 1/1頁 40條/頁 共9條 
  • 1
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  • 制造商
  • SPC Multicomp
  • 功能描述
  • Unijunction Transistor
2N4853 技術參數
  • 2N4449UB 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/317 包裝:散裝 零件狀態:在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):20V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):450mV @ 10mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):400nA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):20 @ 100mA,1V 功率 - 最大值:360mW 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:- 供應商器件封裝:UB 標準包裝:1 2N4449 功能描述:TRANS NPN 20V TO46 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):20V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):450mV @ 10mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):400nA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):20 @ 100mA,1V 功率 - 最大值:360mW 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AB,TO-46-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-46(TO-206AB) 標準包裝:1 2N4427 功能描述:TRANS NPN 20V 0.4A TO-39 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):20V 頻率 - 躍遷:500MHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):- 增益:10dB 功率 - 最大值:1W 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):10 @ 100mA,5V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):400mA 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-205AD,TO-39-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-39 標準包裝:250 2N4424 功能描述:TRANS NPN 40V 0.5A TO-92 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):40V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 3mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):30nA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):180 @ 2mA,4.5V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 標準主體(!--TO-226AA) 供應商器件封裝:TO-92 標準包裝:2,500 2N4416-E3 功能描述:JFET N-CH 30V 0.3W TO-206AF 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):30V 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):5mA @ 15V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):3V @ 1nA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4pF @ 15V 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AF,TO-72-4 金屬罐 供應商器件封裝:TO-206AF(TO-72) 功率 - 最大值:300mW 標準包裝:200 2N4857 2N4857JAN02 2N4857JTX02 2N4857JTXL02 2N4857JTXV02 2N4857UB 2N4858 2N4858A 2N4858JAN02 2N4858JTX02 2N4858JTXL02 2N4858JTXV02 2N4858UB 2N4859 2N4859A 2N4859JAN02 2N4859JTX02 2N4859JTXL02
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