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2N5087(D26Z)

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2N5087(D26Z) 技術參數

2N5087 功能描述:TRANS PNP 50V 0.05A TO-92 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:50nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:250 @ 100μA，5V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:40MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA）供應商器件封裝:TO-92 標準包裝:2,500 2N5086TFR 功能描述:TRANS PNP 50V 0.1A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:50nA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:150 @ 100μA，5V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:40MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 2N5086TF 功能描述:TRANS PNP 50V 0.1A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:50nA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:150 @ 100μA，5V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:40MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 2N5086TAR 功能描述:TRANS PNP 50V 0.1A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:過期晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:50nA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:150 @ 100μA，5V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:40MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 2N5086TA 功能描述:TRANS PNP 50V 0.1A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:過期晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:50nA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:150 @ 100μA，5V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:40MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 2N5087TF 2N5087TFR 2N5088 2N5088_D11Z 2N5088_D81Z 2N5088_J61Z 2N5088BU 2N5088G 2N5088RLRA 2N5088RLRAG 2N5088TA 2N5088TAR 2N5088TF 2N5088TFR 2N5089 2N5089_J18Z 2N5089BU 2N5089G