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2N5559

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  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    聯系人:賴先生

    電話:0755-8394638513632637322

    地址:深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號

    資質:營業執照

  • 118992

  • YXYBDT臺灣

  • TO-3

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

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  • 865000

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  • 制造商
  • SAVANTIC
  • 制造商全稱
  • Savantic, Inc.
  • 功能描述
  • Silicon NPN Power Transistors
2N5559 技術參數
  • 2N5555_D74Z 功能描述:FET RF 25V TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:過期 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:15mA 噪聲系數:- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 2N5555 功能描述:FET RF 25V TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:15mA 噪聲系數:- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 標準主體(!--TO-226AA) 供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 2N5551ZL1G 功能描述:TRANS NPN 160V 0.6A TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):600mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):160V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):200mV @ 5mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):50nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):80 @ 10mA,5V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:300MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 2N5551ZL1 功能描述:TRANS NPN 160V 0.6A TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):600mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):160V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):200mV @ 5mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):50nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):80 @ 10mA,5V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:300MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 2N5551TFR 功能描述:TRANS NPN 160V 0.6A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):600mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):160V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):200mV @ 5mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):50nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):80 @ 10mA,5V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:1 2N5639_D75Z 2N5639G 2N5639RLRAG 2N5655 2N5655G 2N5657 2N5657G 2N5660 2N5661 2N5661U3 2N5662 2N5664 2N5665 2N5666 2N5671 2N5679 2N5680 2N5681
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