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2N7227U

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2N7227U
深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
聯(lián)系人：高先生/周小姐/曹先生
電話：185208051481376027201713487865852
地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號(hào)星河WORLDA2203A室
7223
Microsemi Corporation
TO-267AB
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽(yù)保障、閃電發(fā)貨

1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共6條
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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
N CHANNEL MOSFET - Bulk
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
MOSFET N-CH 400V SMD1

2N7227U 技術(shù)參數(shù)

2N7227 功能描述:MOSFET N-CH 400V TO-254AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:400V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:14A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:315 毫歐 @ 9A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:110nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:通孔封裝/外殼:TO-254-3，TO-254AA（直引線）供應(yīng)商器件封裝:TO-254AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N7225U 功能描述:MOSFET N-CH 200V SMD1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:27.4A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:100 毫歐 @ 17A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:115nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:TO-267AB 供應(yīng)商器件封裝:TO-267AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N7225 功能描述:MOSFET N-CH 200V TO-254AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:27.4A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:100 毫歐 @ 17A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:115nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:通孔封裝/外殼:TO-254-3，TO-254AA（直引線）供應(yīng)商器件封裝:TO-254AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N7224U 功能描述:MOSFET N-CH 100V 34A SMD1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:34A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:81 毫歐 @ 34A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:125nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:TO-267AB 供應(yīng)商器件封裝:TO-267AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N7224 功能描述:MOSFET N-CH 100V TO-254AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:34A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:70 毫歐 @ 21A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:125nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:通孔封裝/外殼:TO-254-3，TO-254AA（直引線）供應(yīng)商器件封裝:TO-254AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N7638-GA 2N7639-GA 2N7640-GA 2N915 2N918 2N918UB 2N930 2N930A 2N930UB 2N9C 2NBS16-TJ1-330 2NCLPT-.25E 2NCLPT-.5E 2NCLPT-1E 2NCLPT-2E 2NCLPT-5E 2NFP0C 2NFP9C