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2N779

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說明
操作

2N779A
深圳市時興宇電子有限公司
深圳市時興宇電子有限公司
聯系人：彭先生
電話：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田區華強北都會大廈A座19樓19G
8566
MOT
CAN
15+
-
絕對公司原裝現貨

2N779A
北京首天偉業科技有限公司
北京首天偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E
資質：營業執照
5000
SPRAGUE
標準封裝
08+
-
假一罰十，百分百原裝正品

2N779
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
5000
-
假一罰十，百分百原裝正品

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您是不是要找： 2N915 2N918 2N918UB 2N930 2N930A 2N930UB 2N9C 2NBS16-TJ1-330 2NCLPT-.25E

2N779 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

2N779 技術參數

2N7640-GA 功能描述:TRANS SJT 650V 16A TO276 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:結式晶體管，常閉 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:16A（Tc）（155°C）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:105 毫歐 @ 16A 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1534pF @ 35V 功率 - 最大值:330W 工作溫度:-55°C ~ 225°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-276AA 供應商器件封裝:TO-276 標準包裝:10 2N7639-GA 功能描述:TRANS SJT 650V 15A TO-257 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:結式晶體管，常閉 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:15A（Tc）（155°C）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:105 毫歐 @ 15A 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1534pF @ 35V 功率 - 最大值:172W 工作溫度:-55°C ~ 225°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-257-3 供應商器件封裝:TO-257 標準包裝:10 2N7638-GA 功能描述:TRANS SJT 650V 8A TO276 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:結式晶體管，常閉 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:8A（Tc）（158°C）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:170 毫歐 @ 8A 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:720pF @ 35V 功率 - 最大值:200W 工作溫度:-55°C ~ 225°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-276AA 供應商器件封裝:TO-276 標準包裝:10 2N7637-GA 功能描述:TRANS SJT 650V 7A TO-257 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:結式晶體管，常閉 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:7A（Tc）（165°C）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:170 毫歐 @ 7A 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:720pF @ 35V 功率 - 最大值:80W 工作溫度:-55°C ~ 225°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-257-3 供應商器件封裝:TO-257 標準包裝:10 2N7636-GA 功能描述:TRANS SJT 650V 4A TO276 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:結式晶體管，常閉 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:4A（Tc）（165°C）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:415 毫歐 @ 4A 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:324pF @ 35V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:-55°C ~ 225°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-276AA 供應商器件封裝:TO-276 標準包裝:10 2NCLPT-.5E 2NCLPT-1E 2NCLPT-2E 2NCLPT-5E 2NFP0C 2NFP9C 2NT1-70 2NT1-8 2OT0.6-83-F9 2OT1.4-10-F9 2OT1.4-24-F9 2P01-0100-DA 2P01-0100-ES 2P01-0200-DA 2P01-0200-ES 2P01-0300-DA 2P02-0100-DA 2P02-0100-ES