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2SA1923(Q)

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制造商
Toshiba
功能描述
PNP Bulk

2SA1923(Q) 技術參數

2SA1909 功能描述:TRANS PNP 140V 10A TO3PF 制造商:sanken 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:10A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:140V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 500mA，5A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 3A，4V 功率 - 最大值:80W 頻率 - 躍遷:20MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-3P-3 整包供應商器件封裝:TO-3PF 標準包裝:1,080 2SA1908 功能描述:TRANS PNP 120V 8A TO3PF 制造商:sanken 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:8A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 300mA，3A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 3A，4V 功率 - 最大值:75W 頻率 - 躍遷:20MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-3P-3 整包供應商器件封裝:TO-3PF 標準包裝:1,080 2SA1907 功能描述:TRANS PNP 80V 6A TO3PF 制造商:sanken 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:6A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 200mA，12A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 2A，4V 功率 - 最大值:60W 頻率 - 躍遷:20MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-3P-3 整包供應商器件封裝:TO-3PF 標準包裝:1,080 2SA1900T100Q 功能描述:TRANS PNP 50V 1A SO-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 500mA，3V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:MPT3 標準包裝:1 2SA1890GRL 功能描述:TRANS PNP 80V 1A MINIP-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:120MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:迷你型P3-F2 標準包裝:1 2SA1931,KEHINQ(M 2SA1931,NETQ(J 2SA1931,NETQ(M 2SA1931,NIKKIQ(J 2SA1931,NSEIKIQ(J 2SA1931,Q(J 2SA1931,SINFQ(J 2SA1943N(S1,E,S) 2SA1943-O(Q) 2SA1943OTU 2SA1943RTU 2SA1952TLQ 2SA1954-A(TE85L,F) 2SA1954BTE85LF 2SA1955FVATPL3Z 2SA1955FVBTPL3Z 2SA1962-O(Q) 2SA1962OTU