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2SAR523V1T2L

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  • 封裝
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  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • 2SAR523V1T2L
    2SAR523V1T2L

    2SAR523V1T2L

  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人：曹先生/周小姐/高先生

    電話：134878658521376027201718520805148

    地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 51992

  • ROHM Semiconductor

  • 25+

  • -

  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

  • 2SAR523V1T2L
    2SAR523V1T2L

    2SAR523V1T2L

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697

    地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質：營業執照

  • 5000

  • ROHM SEMI

  • 1521+

  • -

  • 全新原裝現貨

  • 1/1頁 40條/頁 共2條 
  • 1
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  • 功能描述
  • 兩極晶體管 - BJT BiPolar Transistor PNP
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 配置
  • 晶體管極性
  • PNP
  • 集電極—基極電壓 VCBO
  • 集電極—發射極最大電壓 VCEO
  • - 40 V
  • 發射極 - 基極電壓 VEBO
  • - 6 V
  • 集電極—射極飽和電壓
  • 最大直流電集電極電流
  • 增益帶寬產品fT
  • 直流集電極/Base Gain hfe Min
  • 100 A
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • PowerFLAT 2 x 2
2SAR523V1T2L 技術參數
  • 2SAR523UBTL 功能描述:TRANS PNP 50V 0.1A UMT3FM 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 1mA，6V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:300MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-85 供應商器件封裝:UMT3F 標準包裝:1 2SAR523MT2L 功能描述:TRANS PNP 50V 0.1A VMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 1mA，6V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:300MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-723 供應商器件封裝:VMT3 標準包裝:1 2SAR523EBTL 功能描述:TRANS PNP 50V 0.1A EMT3F 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 1mA，6V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:300MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-89，SOT-490 供應商器件封裝:EMT3F 標準包裝:1 2SAR522UBTL 功能描述:TRANS PNP 20V 0.2A UMT3FM 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:200mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 1mA，2V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:350MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-85 供應商器件封裝:UMT3F 標準包裝:1 2SAR522MT2L 功能描述:TRANS PNP 20V 0.2A VMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:200mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 1mA，2V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:350MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-723 供應商器件封裝:VMT3 標準包裝:1 2SAR544PFRAT100 2SAR544PT100 2SAR544RTL 2SAR552P5T100 2SAR552PFRAT100 2SAR552PT100 2SAR553P5T100 2SAR553PFRAT100 2SAR553PT100 2SAR553RTL 2SAR554P5T100 2SAR554PFRAT100 2SAR554PT100 2SAR554RTL 2SAR572D3TL1 2SAR572DGTL 2SAR573D3TL1 2SAR574D3TL1
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