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2SC6053-T112-F

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2SC6053-T112-F 技術參數

2SC6043-AE 功能描述:TRANS NPN 50V 2A MP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 50mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:420MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應商器件封裝:3-MP 標準包裝:1 2SC6043 功能描述:TRANS NPN 50V 2A MP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:Not Recommended For New Designs 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 50mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:420MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體供應商器件封裝:3-MP 標準包裝:500 2SC6042,T2WNLQ(J 功能描述:TRANS NPN 1A 375V SC71 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝零件狀態:停產晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:375V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 100mA，800mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:SC-71 供應商器件封裝:MSTM 標準包裝:1 2SC6042,T2HOSH1Q(J 功能描述:TRANS NPN 1A 375V SC71 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝零件狀態:停產晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:375V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 100mA，800mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:SC-71 供應商器件封裝:MSTM 標準包裝:1 2SC6040,T2Q(J 功能描述:TRANS NPN 1A 800V SC71 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝零件狀態:停產晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:800V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 100mA，800mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:SC-71 供應商器件封裝:MSTM 標準包裝:1 2SC6096-TD-E 2SC6096-TD-H 2SC6097-E 2SC6097-TL-E 2SC6098-E 2SC6098-TL-E 2SC6099-E 2SC6099-TL-E 2SC6114T2LQ 2SC6114T2LR 2SC6139,T2F(M 2SC6144 2SC6144SG 2SC6145 2SC6145A 2SCR293P5T100 2SCR293PFRAT100 2SCR293PT100