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2SC608T

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2SC608T 技術參數

2SC6082-EPN-1E 功能描述:TRANS NPN 50V 15A 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:15A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 375mA，7.5A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 330mA，2V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:195MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220F-3SG 標準包裝:50 2SC6082-1E 功能描述:TRANS NPN 50V 15A 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:15A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 375mA，7.5A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 330mA，2V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:195MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220F-3SG 標準包裝:50 2SC6082 功能描述:TRANS NPN 50V 15A TO-220ML 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:15A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 375mA，7.5A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 330mA，2V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:195MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220ML 標準包裝:100 2SC6081 功能描述:TRANS NPN 50V 5A TO-220ML 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 125mA，2.5A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 125mA，2V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:250MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220ML 標準包裝:100 2SC6076(TE16L1,NV) 功能描述:TRANS NPN 80V 3A PW MOLD 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:180 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:10W 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:PW-MOLD 標準包裝:1 2SC6099-TL-E 2SC6114T2LQ 2SC6114T2LR 2SC6139,T2F(M 2SC6144 2SC6144SG 2SC6145 2SC6145A 2SCR293P5T100 2SCR293PFRAT100 2SCR293PT100 2SCR346PT100P 2SCR346PT100Q 2SCR372P5T100Q 2SCR372P5T100R 2SCR372PT100Q 2SCR372PT100R 2SCR375P5T100Q