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2SD1431T

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2SD1431T 技術參數
  • 2SD1423ARA 功能描述:TRANS NPN 50V 0.5A NS-B1 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):600mV @ 30mA,300mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):120 @ 150mA,10V 功率 - 最大值:300mW 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:NS-B1 供應商器件封裝:NS-B1 標準包裝:1 2SD1423A 功能描述:TRANS NPN 50V 0.5A NS-B1 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):600mV @ 30mA,300mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):85 @ 150mA,10V 功率 - 最大值:300mW 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:NS-B1 供應商器件封裝:NS-B1 標準包裝:1 2SD1407A-Y(F) 功能描述:TRANS NPN 100V 5A TO220NIS 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:管件 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):5A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):2V @ 400mA,4A 電流 - 集電極截止(最大值):100μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):120 @ 1A,5V 功率 - 最大值:30W 頻率 - 躍遷:12MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220NIS 標準包裝:50 2SD1383KT146B 功能描述:TRANS NPN DARL 32V 0.3A SOT-346 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN - 達林頓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):300mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):32V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.5V @ 400μA,200mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):5000 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:250MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SMT3 標準包裝:1 2SD13280TL 功能描述:TRANS NPN 20V 0.5A MINI 3P 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):20V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 20mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):400 @ 500mA,2V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:迷你型3-G1 標準包裝:1 2SD1484KT146Q 2SD1484KT146R 2SD14850P 2SD14990P 2SD15110RL 2SD1535 2SD1618S-TD-E 2SD1618T-TD-E 2SD1620-TD-E 2SD1623S-TD-E 2SD1623T-TD-E 2SD1624S-TD-E 2SD1624S-TD-H 2SD1624T-TD-E 2SD1624T-TD-H 2SD1628F-TD-E 2SD1628F-TD-H 2SD1628G-TD-E
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