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2SD2661T100

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • 2SD2661T100
    2SD2661T100

    2SD2661T100

  • 深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
    深圳市鴻昌盛電子科技有限公司

    聯系人:陳小姐

    電話:13428937514

    地址:門市: 新華強廣場2樓公司: 深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813室

    資質:營業執照

  • 1000

  • ROHM

  • 2012

  • -
  • 公司現貨!只做原裝!

  • 1/1頁 40條/頁 共6條 
  • 1
2SD2661T100 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • TRANS NPN 12V 2A MPT3
  • RoHS
  • 類別
  • 分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路
  • 系列
  • -
  • 標準包裝
  • 1
  • 系列
  • -
  • 晶體管類型
  • NPN
  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大)
  • 1A
  • 電壓 - 集電極發射極擊穿(最大)
  • 30V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)
  • 200mV @ 100mA,1A
  • 電流 - 集電極截止(最大)
  • 100nA
  • 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)
  • 300 @ 500mA,5V
  • 功率 - 最大
  • 710mW
  • 頻率 - 轉換
  • 100MHz
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應商設備封裝
  • SOT-23-3(TO-236)
  • 包裝
  • Digi-Reel®
  • 其它名稱
  • MMBT489LT1GOSDKR
2SD2661T100 技術參數
  • 2SD2657TL 功能描述:TRANS NPN 30V 1.5A TSMT 3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1.5A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):350mV @ 50mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):270 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:300MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-96 供應商器件封裝:TSMT3 標準包裝:1 2SD2657KT146 功能描述:TRANS NPN 30V 1.5A SOT-346 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1.5A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):350mV @ 50mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):270 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:330MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SMT3 標準包裝:1 2SD2656T106 功能描述:TRANS NPN 30V 1A SOT-323 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):350mV @ 25mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):270 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:400MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應商器件封裝:UMT3 標準包裝:1 2SD2656FRAT106 功能描述:NPN LOW VCE(SAT) TRANSISTOR (COR 制造商:rohm semiconductor 系列:汽車級,AEC-Q101 零件狀態:在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):350mV @ 25mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):270 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:400MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應商器件封裝:UMT3 標準包裝:1 2SD2654TLW 功能描述:TRANS NPN 50V 0.15A EMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):150mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 5mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):300nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):820 @ 1mA,5V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:250MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-75,SOT-416 供應商器件封裝:EMT3 標準包裝:3,000 2SD2695(T6CANO,F,M 2SD2695(T6CNO,A,F) 2SD2695,T6F(J 2SD2695,T6F(M 2SD2696T2L 2SD2700TL 2SD2701TL 2SD2702TL 2SD2703TL 2SD2704KT146 2SD2705STP 2SD2707T2LV 2SD300C17A1 2SD300C17A2 2SD300C17A3 2SD300C17A4 2SD315AI 2SD315AI UL
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