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2SD2670TLCT

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2SD2670TLCT 技術參數
  • 2SD2670TL 功能描述:TRANS NPN 12V 3A TSMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):3A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):12V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):250mV @ 30mA,1.5A 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):270 @ 500mA,2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:360MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-96 供應商器件封裝:TSMT3 標準包裝:1 2SD2662T100 功能描述:TRANS NPN 30V 1.5A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:Not Recommended For New Designs 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1.5A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):350mV @ 50mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):270 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:330MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:MPT3 標準包裝:1 2SD2661T100 功能描述:TRANS NPN 12V 2A MPT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):2A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):12V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):180mV @ 50mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):270 @ 200mA,2V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:360MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:MPT3 標準包裝:1,000 2SD2657TL 功能描述:TRANS NPN 30V 1.5A TSMT 3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1.5A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):350mV @ 50mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):270 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:300MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-96 供應商器件封裝:TSMT3 標準包裝:1 2SD2657KT146 功能描述:TRANS NPN 30V 1.5A SOT-346 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1.5A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):350mV @ 50mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):270 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:330MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SMT3 標準包裝:1 2SD2695,T6F(J 2SD2695,T6F(M 2SD2696T2L 2SD2700TL 2SD2701TL 2SD2702TL 2SD2703TL 2SD2704KT146 2SD2705STP 2SD2707T2LV 2SD300C17A1 2SD300C17A2 2SD300C17A3 2SD300C17A4 2SD315AI 2SD315AI UL 2SD315AI-25 2SD315AI-33
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