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2SJ103GR

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  • 2SJ103GR
    2SJ103GR

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  • 深圳市深美諾電子科技有限公司
    深圳市深美諾電子科技有限公司

    聯系人:李燕兵

    電話:82525918

    地址:深圳市福田區華強北路上步工業區101棟5樓517-532室

    資質:營業執照

  • 6000

  • TOSHOIB

  • T092

  • 22+

  • -
  • 全新原裝現貨供應

  • 2SJ103GR
    2SJ103GR

    2SJ103GR

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • 東芝

  • TO-92

  • 最新批號

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  • 一級代理.原裝特價現貨!

  • 2SJ103GR
    2SJ103GR

    2SJ103GR

  • 深圳市時興宇電子有限公司
    深圳市時興宇電子有限公司

    聯系人:彭先生

    電話:0755-830415598397218513430523058

    地址:深圳市福田區華強北都會大廈A座19樓19G

  • 9133

  • TOS

  • TO-92

  • 12+

  • -
  • 絕對公司原裝現貨

  • 2SJ103GR
    2SJ103GR

    2SJ103GR

  • 北京首天偉業科技有限公司
    北京首天偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址: 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質:營業執照

  • 5000

  • TOS

  • 05+

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • 1/1頁 40條/頁 共12條 
  • 1
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  • 制造商
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  • 制造商全稱
  • 未知廠家
  • 功能描述
  • TRANSISTOR | JFET | P-CHANNEL | 2.6MA I(DSS) | TO-92
2SJ103GR 技術參數
  • 2SJ0674G0L 功能描述:MOSFET P-CH 30V .1A SSSMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):100mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):18 歐姆 @ 10mA,4V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 1μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):12pF @ 3V 功率 - 最大值:100mW 工作溫度:125°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-723 供應商器件封裝:SSS迷你型3-F2 標準包裝:1 2SJ067400L 功能描述:MOSFET P-CH 30V 100MA SSSMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):100mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):18 歐姆 @ 10mA,4V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 1μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):12pF @ 3V 功率 - 最大值:100mW 工作溫度:125°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-723 供應商器件封裝:SSS迷你型3-F1 標準包裝:1 2SJ058200L 功能描述:MOSFET P-CH 200V 2A U-G2 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):2A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2 歐姆 @ 1A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):400pF @ 20V 功率 - 最大值:10W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:U-G2 標準包裝:1 2SJ0536G0L 功能描述:MOSFET P-CH 30V .1A SMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):100mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):75 歐姆 @ 10mA,5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-85 供應商器件封裝:S迷你型3-F2 標準包裝:1 2SJ053600L 功能描述:MOSFET P-CH 30V .1A S-MINI-3P 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):100mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):75 歐姆 @ 10mA,5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應商器件封裝:S迷你型3-G1 標準包裝:1 2SJ438(AISIN,Q,M) 2SJ438(CANO,A,Q) 2SJ438(CANO,Q,M) 2SJ438,MDKQ(J 2SJ438,MDKQ(M 2SJ438,Q(J 2SJ438,Q(M 2SJ610(TE16L1,NQ) 2SJ649-AZ 2SJ650 2SJ651 2SJ652 2SJ652-1E 2SJ652-RA11 2SJ655 2SJ656 2SJ661-1E 2SJ661-DL-1E
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