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2SJ206-T1-AZ

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  • 2SJ206-T1-AZ
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  • 深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
    深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司

    聯(lián)系人:高先生/周小姐/曹先生

    電話:185208051481376027201713487865852

    地址:深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號(hào)星河WORLDA2203A室

  • 7712

  • Renesas Electronics Ameri

  • 25+

  • -
  • 全球渠道、原廠正品、信譽(yù)保障、閃電發(fā)貨

  • 2SJ206-T1-AZ
    2SJ206-T1-AZ

    2SJ206-T1-AZ

  • 深圳市百潤(rùn)電子有限公司
    深圳市百潤(rùn)電子有限公司

    聯(lián)系人:

    電話:17876146278

    地址:沙頭街道下沙社區(qū)濱河路9289號(hào)下沙村京基濱河時(shí)代廣場(chǎng)D1棟26A

  • 2719

  • RENESAS

  • SOT89

  • 1119+

  • -
  • 全新原裝正品*海量現(xiàn)貨庫(kù)存*全網(wǎng)最低

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共40條 
  • 1
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  • 制造商
  • Renesas Electronics
  • 功能描述
  • Cut Tape
  • 制造商
  • Renesas Electronics Corporation
  • 功能描述
  • SEMICONDUCTOR, DESCRETE, MOS, FET, P CHA
  • 制造商
  • Renesas
  • 功能描述
  • Trans MOSFET P-CH 30V 0.5A 4-Pin(3+Tab) SC-62 T/R
2SJ206-T1-AZ 技術(shù)參數(shù)
  • 2SJ168TE85LF 功能描述:MOSFET P-CH 60V 0.2A S-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):200mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):2歐姆 @ 50mA,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):85pF @ 10V 功率 - 最大值:200mW 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SC-59 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SJ162-E 功能描述:MOSFET P-CH 160V 7A TO-3P 制造商:renesas electronics america 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):160V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):7A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):- 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):900pF @ 10V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3,SC-65-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-3P 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SJ0674G0L 功能描述:MOSFET P-CH 30V .1A SSSMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):100mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):18 歐姆 @ 10mA,4V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 1μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):12pF @ 3V 功率 - 最大值:100mW 工作溫度:125°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-723 供應(yīng)商器件封裝:SSS迷你型3-F2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SJ067400L 功能描述:MOSFET P-CH 30V 100MA SSSMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):100mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):18 歐姆 @ 10mA,4V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 1μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):12pF @ 3V 功率 - 最大值:100mW 工作溫度:125°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-723 供應(yīng)商器件封裝:SSS迷你型3-F1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SJ058200L 功能描述:MOSFET P-CH 200V 2A U-G2 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):2A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):2 歐姆 @ 1A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):400pF @ 20V 功率 - 最大值:10W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:U-G2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SJ438(CANO,Q,M) 2SJ438,MDKQ(J 2SJ438,MDKQ(M 2SJ438,Q(J 2SJ438,Q(M 2SJ610(TE16L1,NQ) 2SJ649-AZ 2SJ650 2SJ651 2SJ652 2SJ652-1E 2SJ652-RA11 2SJ655 2SJ656 2SJ661-1E 2SJ661-DL-1E 2SJ661-DL-E 2SJ665-DL-E
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