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2SJ654

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

2SJ654-Z
深圳市奧偉斯科技有限公司
深圳市奧偉斯科技有限公司
聯系人：江小姐 ADS觸摸芯片一級代理
電話：0755-83254770
地址：深南中路3006號佳和華強大廈A座7樓整層
資質：營業執照
30000
TOSHIBA
SOT-252
18+
-
長期供應

2SJ654
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
8650000
NEC
TO-252251
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

2SJ654
無錫固電半導體股份有限公司
無錫固電半導體股份有限公司
聯系人：張小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區新梅路68號
資質：營業執照
1000
isc/固電半導體
TO-251
25+
-
國產品牌，替代進口

2SJ654
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
聯系人：賴先生
電話：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號
資質：營業執照
16789
NEC
TO-251/252
2025+
-
絕對現貨

2SJ654
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
5000
N/A
N/A
-
假一罰十，百分百原裝正品

1/1頁 40條/頁共20條
1

您是不是要找： 2SJ655 2SJ656 2SJ661-1E 2SJ661-DL-1E 2SJ661-DL-E 2SJ665-DL-E 2SJ668(TE16L1,NQ) 2SJ673-AZ 2SJ681(Q)

2SJ654 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

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制造商
SANYO
功能描述
Pch -100V 240A 315m@10V TO220ML Bulk
制造商
SANYO Semiconductor Co Ltd
功能描述
MOSFET P CH 100V 8A TO220ML
制造商
Sanyo
功能描述
Trans MOSFET P-CH 100V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220ML

2SJ654 技術參數

2SJ652-RA11 功能描述:MOSFET P-CH 60V 28A TO-220ML 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅動漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:28A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:38 毫歐 @ 14A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:80nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4360pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220ML 標準包裝:50 2SJ652-1E 功能描述:MOSFET P-CH 60V 28A TO-220FP-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅動漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:28A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:38 毫歐 @ 14A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:80nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4360pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220F-3SG 標準包裝:50 2SJ652 功能描述:MOSFET P-CH 60V 28A TO-220ML 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅動漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:28A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:38 毫歐 @ 14A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:80nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4360pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220ML 標準包裝:100 2SJ651 功能描述:MOSFET P-CH 60V 20A TO-220ML 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅動漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:20A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:60 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:45nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2200pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220ML 標準包裝:100 2SJ650 功能描述:MOSFET P-CH 60V 12A TO-220ML 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅動漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:12A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:135 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:21nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1020pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220ML 標準包裝:100 2SJ683-TL-E 2SJ687-ZK-E1-AY 2SK01980RL 2SK060100L 2SK0601G0L 2SK0615 2SK06620RL 2SK06630RL 2SK0663GRL 2SK066400L 2SK0664G0L 2SK066500L 2SK0665G0L 2SK1058-E 2SK11030QL 2SK1119(F) 2SK122800L 2SK1317-E