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2SK2912S

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

2SK2912S
無錫固電半導體股份有限公司
無錫固電半導體股份有限公司
聯系人：張小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區新梅路68號
資質：營業執照
1000
isc/固電半導體
D2PAK/TO-263
25+
-
國產品牌，替代進口

2SK2912S
深圳市深美諾電子科技有限公司
深圳市深美諾電子科技有限公司
聯系人：李燕兵
電話：82525918
地址：深圳市福田區華強北路上步工業區101棟5樓517-532室
資質：營業執照
6000
HITACHI
SOT263
22+
-
全新原裝現貨供應

2SK2912S
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
RENESAS
TO-263
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

2SK2912S
深圳市琦凌凱科技有限公司
深圳市琦凌凱科技有限公司
聯系人：彭先生
電話：1331648214918276240346
地址：深圳市福田區華強北街道荔村社區振興路120號賽格科技園4棟中10層10A28
資質：營業執照
6000
RENESAS/瑞薩
TO-263
22+
-
十年配單，只做原裝

2SK2912S
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
5000
N/A
N/A
-
假一罰十，百分百原裝正品

1/1頁 40條/頁共25條
1

您是不是要找： 2SK2916(F) 2SK2917(F) 2SK2943 2SK2962(T6CANO,A,F 2SK2962(T6CANO,F,M 2SK2962(TE6,F,M) 2SK2962,F(J 2SK2962,T6F(J 2SK2962,T6F(M

2SK2912S PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

2SK2912S 技術參數

2SK2887TL 功能描述:MOSFET N-CH 200V 3A DPAK 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:3A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:900 毫歐 @ 1.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:8.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:230pF @ 10V 功率 - 最大值:20W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:CPT3 標準包裝:1 2SK2883(TE24L,Q) 功能描述:MOSFET N-CH 800V 3A TO220SM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:3A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.6 歐姆 @ 1.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:25nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:750pF @ 25V 功率 - 最大值:75W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:TO-220SM 標準包裝:1,000 2SK2866(F) 功能描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO-220AB 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:10A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:750 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:45nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2040pF @ 10V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 2SK2854(TE12L,F) 功能描述:MOSFET RF N CH 10V 500MA 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:N 通道頻率:849MHz 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:500mA 噪聲系數:- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:23dBmW 電壓 - 額定:10V 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:PW-MINI 標準包裝:1 2SK2848 功能描述:MOSFET N-CH 600V TO-220F 制造商:sanken 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:2A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.8 歐姆 @ 1A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:290pF @ 10V 功率 - 最大值:30W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220F 標準包裝:1,000 2SK2962,T6WNLF(J 2SK2962,T6WNLF(M 2SK2963(TE12L,F) 2SK2967(F) 2SK2989(T6CANO,A,F 2SK2989(T6CANO,F,M 2SK2989(TPE6,F,M) 2SK2989,F(J 2SK2989,T6F(J 2SK2993(TE24L,Q) 2SK2995(F) 2SK3003 2SK3004 2SK3018T106 2SK3018-TP 2SK3019TL 2SK3019-TP 2SK302200L