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2SK2952(Q,T)

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  • 制造商
  • Toshiba America Electronic Components
  • 功能描述
2SK2952(Q,T) 技術(shù)參數(shù)
  • 2SK2943 功能描述:MOSFET N-CH 900V TO-220F 制造商:sanken 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):900V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):3A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):5 歐姆 @ 1.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):600pF @ 10V 功率 - 最大值:30W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220F 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 2SK2917(F) 功能描述:MOSFET N-CH 500V 18A TO-3PN 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):18A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):270 毫歐 @ 10A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):80nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):3720pF @ 10V 功率 - 最大值:90W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3,SC-65-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-3P(N)IS 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 2SK2916(F) 功能描述:MOSFET N-CH 500V 14A TO-3PN 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):14A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):400 毫歐 @ 7A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):58nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2600pF @ 10V 功率 - 最大值:80W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3,SC-65-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-3P(N)IS 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 2SK2887TL 功能描述:MOSFET N-CH 200V 3A DPAK 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):3A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):900 毫歐 @ 1.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):8.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):230pF @ 10V 功率 - 最大值:20W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:CPT3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK2883(TE24L,Q) 功能描述:MOSFET N-CH 800V 3A TO220SM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):3A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):3.6 歐姆 @ 1.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):25nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):750pF @ 25V 功率 - 最大值:75W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:TO-220SM 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 2SK2967(F) 2SK2989(T6CANO,A,F 2SK2989(T6CANO,F,M 2SK2989(TPE6,F,M) 2SK2989,F(J 2SK2989,T6F(J 2SK2993(TE24L,Q) 2SK2995(F) 2SK3003 2SK3004 2SK3018T106 2SK3018-TP 2SK3019TL 2SK3019-TP 2SK302200L 2SK302500L 2SK303000L 2SK303100L
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