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2SK2989(TEP6，F)

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2SK2989(TEP6，F) 技術參數

2SK2989(T6CANO,F,M 功能描述:MOSFET N-CH 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:* 包裝:散裝零件狀態:停產安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-92MOD 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體標準包裝:1 2SK2989(T6CANO,A,F 功能描述:MOSFET N-CH 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:* 包裝:散裝零件狀態:停產安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-92MOD 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體標準包裝:1 2SK2967(F) 功能描述:MOSFET N-CH 250V 30A TO-3PN 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:30A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:68 毫歐 @ 15A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:132nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5400pF @ 10V 功率 - 最大值:150W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 供應商器件封裝:TO-3P（N）標準包裝:50 2SK2963(TE12L,F) 功能描述:MOSFET N-CH 100V 1A PW-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅動漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:1A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:700 毫歐 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6.3nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:140pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:PW-MINI 標準包裝:1 2SK2962,T6WNLF(M 功能描述:MOSFET N-CH 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:* 包裝:散裝零件狀態:停產安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-92MOD 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體標準包裝:1 2SK3019TL 2SK3019-TP 2SK302200L 2SK302500L 2SK303000L 2SK303100L 2SK3043 2SK3044 2SK3045 2SK3046 2SK3047 2SK3048 2SK3050TL 2SK306400L 2SK3064G0L 2SK3065T100 2SK3068(TE24L,Q) 2SK3074TE12LF