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2SK3017(F)

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • 2SK3017(F)
    2SK3017(F)

    2SK3017(F)

  • 深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
    深圳市鴻昌盛電子科技有限公司

    聯系人:陳小姐

    電話:13428937514

    地址:門市: 新華強廣場2樓公司: 深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813室

    資質:營業執照

  • 50

  • TOSHIBA

  • 2011

  • -
  • 公司現貨!只做原裝!

  • 1/1頁 40條/頁 共3條 
  • 1
2SK3017(F) PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET MOSFET N-Ch 900V 8.5A Rdson 1.25 Ohm
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
2SK3017(F) 技術參數
  • 2SK3004 功能描述:MOSFET N-CH 250V TO-220F 制造商:sanken 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):250V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):18A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):250 毫歐 @ 9A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):850pF @ 10V 功率 - 最大值:35W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220F 標準包裝:1,000 2SK3003 功能描述:MOSFET N-CH 200V TO-220F 制造商:sanken 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):18A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):175 毫歐 @ 9A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):850pF @ 10V 功率 - 最大值:35W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220F 標準包裝:1,000 2SK2995(F) 功能描述:MOSFET N-CH 250V 30A TO-3PN 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:管件 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):250V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):30A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):68 毫歐 @ 15A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):132nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):5400pF @ 10V 功率 - 最大值:90W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3,SC-65-3 供應商器件封裝:TO-3P(N)IS 標準包裝:50 2SK2993(TE24L,Q) 功能描述:MOSFET N-CH 250V 20A TO220SM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):250V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):20A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):105 毫歐 @ 10A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):100nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4000pF @ 10V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:TO-220SM 標準包裝:1,000 2SK2989,T6F(J 功能描述:MOSFET N-CH 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:* 包裝:散裝 零件狀態:停產 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-92MOD 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 長體 標準包裝:1 2SK3044 2SK3045 2SK3046 2SK3047 2SK3048 2SK3050TL 2SK306400L 2SK3064G0L 2SK3065T100 2SK3068(TE24L,Q) 2SK3074TE12LF 2SK3075(TE12L,Q) 2SK3078A(TE12L,F) 2SK3079ATE12LQ 2SK3127(TE24L,Q) 2SK3128(Q) 2SK3132(Q) 2SK3199
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