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2SK3570-ZK-E1/JM

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  • 2SK3570-ZK-E1/JM
    2SK3570-ZK-E1/JM

    2SK3570-ZK-E1/JM

  • 深圳市科思奇電子科技有限公司
    深圳市科思奇電子科技有限公司

    聯系人:林小姐/歐陽先生

    電話:0755-832450508278593918923762408微信同號

    地址:深圳市福田區上步工業區501棟1109-1110室

    資質:營業執照

  • 6000

  • NEC

  • TO263

  • 23+

  • -
  • 只做原裝正品

  • 2SK3570-ZK-E1/JM
    2SK3570-ZK-E1/JM

    2SK3570-ZK-E1/JM

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • NEC

  • TO263

  • 最新批號

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  • 一級代理.原裝特價現貨!

  • 2SK3570-ZK-E1/JM
    2SK3570-ZK-E1/JM

    2SK3570-ZK-E1/JM

  • 北京首天偉業科技有限公司
    北京首天偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址: 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質:營業執照

  • 5000

  • NEC

  • TO263

  • 05+/04+

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • 2SK3570-ZK-E1/JM
    2SK3570-ZK-E1/JM

    2SK3570-ZK-E1/JM

  • 深圳市柏新電子科技有限公司
    深圳市柏新電子科技有限公司

    聯系人:林小姐//方先生

    電話:0755-88377780010-58488628

    地址:深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈C座27E2 , 北京辦事處:北京海春路中發大廈60淀區知

  • 30100

  • NEC

  • TO263

  • 2012+

  • -
  • 只做原裝正品

  • 2SK3570-ZK-E1/JM
    2SK3570-ZK-E1/JM

    2SK3570-ZK-E1/JM

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業執照

  • 150500

  • NEC

  • TO263

  • 1521+

  • -
  • 全新原裝現貨

  • 1/1頁 40條/頁 共20條 
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2SK3570-ZK-E1/JM 技術參數
  • 2SK3566(STA4,Q,M) 功能描述:MOSFET N-CH 900V 2.5A TO-220SIS 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):900V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):2.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6.4 歐姆 @ 1.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):12nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):470pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220SIS 標準包裝:50 2SK3565(Q,M) 功能描述:MOSFET N-CH 900V 5A TO-220SIS 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):900V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):5A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.5 歐姆 @ 3A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):28nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1150pF @ 25V 功率 - 最大值:45W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220SIS 標準包裝:50 2SK3564(STA4,Q,M) 功能描述:MOSFET N-CH 900V 3A TO-220SIS 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):900V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):3A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4.3 歐姆 @ 1.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):17nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):700pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220SIS 標準包裝:50 2SK3557-7-TB-E 功能描述:FET RF 15V 1KHZ 3CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:1kHz 增益:- 電壓 - 測試:5V 額定電流:50mA 噪聲系數:1dB 電流 - 測試:1mA 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:15V 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:3-CP 標準包裝:1 2SK3557-6-TB-E 功能描述:FET RF 15V 1KHZ 3CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:1kHz 增益:- 電壓 - 測試:5V 額定電流:50mA 噪聲系數:1dB 電流 - 測試:1mA 功率 - 輸出:200mW 電壓 - 額定:15V 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:3-CP 標準包裝:1 2SK3702 2SK3703 2SK3703-1E 2SK3704 2SK3707 2SK3707-1E 2SK3708 2SK3709 2SK3710 2SK3711 2SK3720-5-TB-E 2SK3737-5-TL-E 2SK3738-TL-E 2SK3745LS 2SK3745LS-1E 2SK3746 2SK3746-1E 2SK3747
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