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2SK3981-01

配單專家企業名單

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批號
價格
說明
操作

2SK3981-01
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
8650000
FUJI
TO-220
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

2SK3981-01
無錫固電半導體股份有限公司
無錫固電半導體股份有限公司
聯系人：張小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區新梅路68號
資質：營業執照
1000
isc/固電半導體
TO-220
25+
-
國產品牌，替代進口

2SK3981-01
深圳市琦凌凱科技有限公司
深圳市琦凌凱科技有限公司
聯系人：彭先生
電話：1331648214918276240346
地址：深圳市福田區華強北街道荔村社區振興路120號賽格科技園4棟中10層10A28
資質：營業執照
6000
FUJITSU/富士通
TO-220AB
22+
-
十年配單，只做原裝

2SK3981-01
深圳市一線半導體有限公司
深圳市一線半導體有限公司
聯系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐
電話：0755-88608801多線17727932378
地址：深圳市福田區華強北華強花園B9F
9600
TO-220AB
FUJI
17+
-
原裝正品。優勢供應

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2SK3981-01 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

2SK3981-01 技術參數

2SK3943-ZP-E1-AY 功能描述:MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263 制造商:renesas electronics america 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:82A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.5 毫歐 @ 41A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:93nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5800pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:TO-263 標準包裝:1 2SK3906(Q) 功能描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO-3PN 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:20A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:330 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:60nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4250pF @ 25V 功率 - 最大值:150W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 供應商器件封裝:TO-3P（N）標準包裝:50 2SK3892 功能描述:MOSFET N-CH 200V 22A TO-220D 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:22A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:62 毫歐 @ 11A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3177pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220D-A1 標準包裝:50 2SK3868(Q,M) 功能描述:MOSFET N-CH 500V 5A TO220SIS 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:5A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.7 歐姆 @ 2.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:16nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:550pF @ 25V 功率 - 最大值:35W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220SIS 標準包裝:50 2SK3844(Q) 功能描述:MOSFET N-CH 60V 45A TO220NIS 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:45A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5.8 毫歐 @ 23A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:196nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:12400pF @ 10V 功率 - 最大值:45W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220NIS 標準包裝:50 2SK4066-1E 2SK4066-DL-1E 2SK4066-DL-1EX 2SK4066-DL-E 2SK4066-E 2SK4073LS 2SK4084LS 2SK4085LS 2SK4085LS-1E 2SK4087LS 2SK4087LS-1E 2SK4088LS 2SK4088LS-1E 2SK4089LS 2SK4093TZ-E 2SK4094 2SK4094-1E 2SK4096LS