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2SK4029

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價格
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操作

2SK4029001JN
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
PANASONIC
原廠封裝
最新批號
-
一級代理，原裝正品現貨！！

2SK4029
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
10000
PANASO
SMini3-G
15+
-
原裝正品，假一罰十

2SK4029
深圳市柏新電子科技有限公司
深圳市柏新電子科技有限公司
聯系人：林小姐//方先生
電話：0755-88377780010-58488628
地址：深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈C座27E2 , 北京辦事處：北京海春路中發大廈60淀區知
12000
PANASO
SMini3-G1
2012+
-
只做原裝正品

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1

您是不是要找： 2SK4037(TE12L,Q) 2SK4043LS 2SK4065-DL-1E 2SK4065-DL-1EX 2SK4065-DL-E 2SK4065-E 2SK4066-1E 2SK4066-DL-1E 2SK4066-DL-1EX

2SK4029 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

2SK4029 技術參數

2SK4021(Q) 功能描述:MOSFET N-CH 250V 4.5A PW-MOLD2 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:4.5A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1 歐姆 @ 2.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:10nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:440pF @ 10V 功率 - 最大值:20W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-251-3 短截引線，IPak 供應商器件封裝:PW-MOLD2 標準包裝:200 2SK4017(Q) 功能描述:MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD2 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝零件狀態:Not Recommended For New Designs FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅動漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:5A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:100 毫歐 @ 2.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:15nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:730pF @ 10V 功率 - 最大值:20W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-251-3 短截引線，IPak 供應商器件封裝:PW-MOLD2 標準包裝:200 2SK4016(Q) 功能描述:MOSFET N-CH 600V 13A TO220SIS 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:13A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:500 毫歐 @ 6.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:62nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3100pF @ 25V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220SIS 標準包裝:50 2SK3943-ZP-E1-AY 功能描述:MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263 制造商:renesas electronics america 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:82A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.5 毫歐 @ 41A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:93nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5800pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:TO-263 標準包裝:1 2SK3906(Q) 功能描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO-3PN 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:20A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:330 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:60nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4250pF @ 25V 功率 - 最大值:150W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 供應商器件封裝:TO-3P（N）標準包裝:50 2SK4066-DL-E 2SK4066-E 2SK4073LS 2SK4084LS 2SK4085LS 2SK4085LS-1E 2SK4087LS 2SK4087LS-1E 2SK4088LS 2SK4088LS-1E 2SK4089LS 2SK4093TZ-E 2SK4094 2SK4094-1E 2SK4096LS 2SK4097LS 2SK4099LS 2SK4099LS-1E