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2SK4080

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
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封裝
批號
價格
說明
操作

2SK4080
無錫固電半導體股份有限公司
無錫固電半導體股份有限公司
聯系人：張小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區新梅路68號
資質：營業執照
1000
isc/固電半導體
TO-251
25+
-
國產品牌，替代進口

2SK4080
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
RENESAS
TO-251
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

2SK4080-ZK-E1
深圳市深美諾電子科技有限公司
深圳市深美諾電子科技有限公司
聯系人：李燕兵
電話：82525918
地址：深圳市福田區華強北路上步工業區101棟5樓517-532室
資質：營業執照
6000
NEC
TO252
22+
-
全新原裝現貨供應

2SK4080-ZK-E1-AY
深圳市德江源電子有限公司
深圳市德江源電子有限公司
聯系人：張先生
電話：8296641615986789713
地址：深圳市福田區華強北街道振華路100號深紡大廈C座1A層1A621室
資質：營業執照
789
RENESAS/瑞薩
TO-252
08+
-
只做原裝，假一賠十

2SK4080-ZK-E1-AY
深圳市百潤電子有限公司
深圳市百潤電子有限公司
聯系人：梁
電話：17876146278
地址：沙頭街道下沙社區濱河路9289號下沙村京基濱河時代廣場D1棟26A
789
RENESAS
TO-252
08+
-
全新原裝正品*海量現貨庫存*全網最低

2SK4080-ZK-E2
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
3000
NEC
原廠封裝
09+
-

2SK4080(1)-S27
深圳市一線半導體有限公司
深圳市一線半導體有限公司
聯系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐
電話：0755-88608801多線17727932378
地址：深圳市福田區華強北華強花園B9F
9600
TO-251
NEC
17+
-
原裝正品。優勢供應

2SK4080(1)-S27
深圳市柏新電子科技有限公司
深圳市柏新電子科技有限公司
聯系人：林小姐//方先生
電話：0755-88377780010-58488628
地址：深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈C座27E2 , 北京辦事處：北京海春路中發大廈60淀區知
14000
R
TO-251
2012+
-
只做原裝正品

2SK4080-ZK-E1
深圳市華雄半導體（集團）有限公司
深圳市華雄半導體（集團）有限公司
聯系人：雷精云
電話：18988598856
地址：深圳龍崗區棕科云端大廈1棟B座15層
資質：營業執照
3111
NEC
TO-252
2227+
-
十年專營，供應原裝正品！熱賣現貨！

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2SK4080 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

2SK4080 技術參數

2SK4073LS 功能描述:MOSFET N-CH 60V 90A TO-220FI 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:90A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 毫歐 @ 45A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:220nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:12500pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220FI（LS）標準包裝:100 2SK4066-E 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A SMP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅動漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:100A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.7 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:220nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:12500pF @ 20V 功率 - 最大值:1.65W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3（SMT）標片供應商器件封裝:SMP 標準包裝:100 2SK4066-DL-E 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅動漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:100A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.7 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:220nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:12500pF @ 20V 功率 - 最大值:1.65W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:SMP-FD 標準包裝:1,000 2SK4066-DL-1EX 功能描述:MOSFET N-CH 60V TO263-2 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:停產 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:100A（Ta）不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:220nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:12500pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.65W（Ta），90W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.7 毫歐 @ 50A，10V 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:TO-263-2 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 標準包裝:800 2SK4066-DL-1E 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅動漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:100A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.7 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:220nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:12500pF @ 20V 功率 - 最大值:1.65W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:TO-263-2 標準包裝:800 2SK4094 2SK4094-1E 2SK4096LS 2SK4097LS 2SK4099LS 2SK4099LS-1E 2SK4116LS 2SK4117LS 2SK4124 2SK4124-1E 2SK4125 2SK4125-1E 2SK4126 2SK4150TZ-E 2SK4151TZ-E 2SK4171 2SK4177-DL-1E 2SK4177-DL-E