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2SK4108(F)

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  • 2SK4108(F)
    2SK4108(F)

    2SK4108(F)

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    聯系人:賴先生

    電話:0755-8394638513632637322

    地址:深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號

    資質:營業執照

  • 15326

  • TOSHIBA

  • TO-220

  • 2024+

  • -
  • 不怕你不買只怕你不問

  • 2SK4108(F)
    2SK4108(F)

    2SK4108(F)

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • TOSHIBA

  • 原廠封裝

  • 最新批號

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  • 一級代理,原裝正品現貨!!

  • 2SK4108(F)
    2SK4108(F)

    2SK4108(F)

  • 深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
    深圳市鴻昌盛電子科技有限公司

    聯系人:陳小姐

    電話:13428937514

    地址:門市: 新華強廣場2樓公司: 深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813室

    資質:營業執照

  • 85

  • TOSHIBA

  • -
  • 公司現貨!只做原裝!

  • 1/1頁 40條/頁 共14條 
  • 1
2SK4108(F) PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • Toshiba
  • 功能描述
  • Nch 500V 20A 0.27@10V TO3P(N) Bulk
  • 制造商
  • Toshiba America Electronic Components
  • 功能描述
  • MOSFET N CH 20A 500V TO3P
  • 制造商
  • Toshiba America Electronic Components
  • 功能描述
  • MOSFET, N CH, 20A, 500V, TO3P
2SK4108(F) 技術參數
  • 2SK4099LS-1E 功能描述:MOSFET N-CH 600V 8.5A 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):6.9A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):940 毫歐 @ 4A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):29nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):750pF @ 30V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220F-3FS 標準包裝:50 2SK4099LS 功能描述:MOSFET N-CH 600V 8.5A TO-220FI 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):6.9A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):940 毫歐 @ 4A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):29nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):750pF @ 30V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220FI(LS) 標準包裝:100 2SK4097LS 功能描述:MOSFET N-CH 500V 9.5A TO-220FI 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):8.3A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):650 毫歐 @ 5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):30nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):750pF @ 30V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220FI(LS) 標準包裝:100 2SK4096LS 功能描述:MOSFET N-CH 500V 8A TO-220FI 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):7.1A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):850 毫歐 @ 4A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):24nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):600pF @ 30V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220FI(LS) 標準包裝:100 2SK4094-1E 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4V 驅動 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):100A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5 毫歐 @ 50A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):220nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):12500pF @ 20V 功率 - 最大值:1.75W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220-3 標準包裝:50 2SK4171 2SK4177-DL-1E 2SK4177-DL-E 2SK4177-E 2SK4181-TL-E 2SK4196LS 2SK4196LS-1E 2SK4197FS 2SK4197LS 2SK4198FS 2SK4198LS 2SK4209 2SK4210 2SK4221 2SK4222 2SK536-MTK-TB-E 2SK536-TB-E 2SK545-11D-TB-E
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